M29W320DB70N3E vs M29W400FB55N3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W320DB70N3E द्वारा Micron Technology और M29W400FB55N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology
M29W400FB55N3E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W320DB70N3E | M29W400FB55N3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Flash | EEPROM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash | NOR Flash (parallel) |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | 4 Mbit (4194 kbits) |
| संगठन | 2M x 16 | 512K x 8 bit / 256K x 16 bit |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| पैकेज | 48-TSOP I | 48-TSOP I, 12 x 20 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | ROHS3 Compliant | Compliant |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word typical |
| Boot Block Hardware Protection | — | Yes |
| Pins | — | 48 |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grades in Family | — | 55 ns, 70 ns |