M29W320DB70N3E vs M29W400FB55N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W320DB70N3E tarafından Micron Technology ve M29W400FB55N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W320DB70N3E M29W400FB55N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Flash EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash NOR Flash (parallel)
Density 32 Mbit (33554 kbits) 4 Mbit (4194 kbits)
Organizasyon 2M x 16 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Number of Words 2000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
Arayüz Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Block Architecture Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Paket 48-TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu ROHS3 Compliant Compliant
Programming Mode Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling —
Power-Up Mode Read mode (default) —
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
Packaging — Tray
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin