M29W400FB55N3E vs M29W320DB70N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W400FB55N3E بواسطة Micron Technology و M29W320DB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W400FB55N3E M29W320DB70N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة EEPROM Flash
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) 32 Mbit (33554 kbits)
التنظيم 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 2M x 16
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
الواجهة Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP I
Pins 48 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
حالة RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر