M29W400FB55N3E vs M29W320DB70N3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W400FB55N3E द्वारा Micron Technology और M29W320DB70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W400FB55N3E M29W320DB70N3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी EEPROM Flash
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) 32 Mbit (33554 kbits)
संगठन 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 2M x 16
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
इंटरफ़ेस Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
पैकेज 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP I
Pins 48 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
RoHS स्थिति Compliant ROHS3 Compliant
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

डेटाशीट और संसाधन

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