M29W400FB55N3E vs M29W320DB70N3E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W400FB55N3E מאת Micron Technology ו M29W320DB70N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W400FB55N3E M29W320DB70N3E
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה EEPROM Flash
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) 32 Mbit (33554 kbits)
ארגון 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 2M x 16
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
ממשק Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
מארז 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP I
Pins 48 —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
סטטוס RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר