M29W400FB55N3E vs M29W320DB70N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W400FB55N3E tarafından Micron Technology ve M29W320DB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W400FB55N3E M29W320DB70N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori EEPROM Flash
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) 32 Mbit (33554 kbits)
Organizasyon 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 2M x 16
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Arayüz Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Paket 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP I
Pins 48 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
RoHS Durumu Compliant ROHS3 Compliant
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin