M58BW32FB5ZA3T vs M58BW16FB4ZA3F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M58BW32FB5ZA3T بواسطة Micron Technology و M58BW16FB4ZA3F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M58BW32FB5ZA3T M58BW32FB5ZA3T - 32Mbit Burst NOR Flash 55ns | Micron

M58BW32FB5ZA3T - 32Mbit Burst NOR Flash 55ns | Micron

M58BW32FB5ZA3T ✓ نشط
Micron Technology
M58BW16FB4ZA3F M58BW16FB4ZA3F - 16Mbit Burst NOR Flash 45ns | Micron

M58BW16FB4ZA3F - 16Mbit Burst NOR Flash 45ns | Micron

M58BW16FB4ZA3F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M58BW32FB5ZA3T M58BW16FB4ZA3F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة FLASH - NOR Memory IC NOR Flash, parallel burst
حجم الذاكرة 32 Mbit 16 Mbit (1M x16 / 512K x32)
التنظيم x32 (Boot Block, Burst) 1M words x16, boot block
الواجهة Parallel Parallel, synchronous burst
Access Time 55 ns 45 ns
جهد التغذية 3.3 V (single supply) 3.3 V nominal
Burst Mode Yes (synchronous burst read) —
Block Architecture Boot Block —
العلبة 80-LBGA (10 x 12 mm) 80-LBGA (10 x 12 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C (automotive grade)
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: data retention]
Active Read Current [DATA_NEEDED: active current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (3F lead-free suffix)
Number of Terminals — 80
Application Grade — Automotive
Technology — Boot Block NOR Flash
Read Mode — Asynchronous and synchronous burst read
Lifecycle — Active / legacy parallel NOR

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر