M58BW32FB5ZA3T vs M58BW16FB4ZA3F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M58BW32FB5ZA3T द्वारा Micron Technology और M58BW16FB4ZA3F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M58BW32FB5ZA3T M58BW32FB5ZA3T - 32Mbit Burst NOR Flash 55ns | Micron

M58BW32FB5ZA3T - 32Mbit Burst NOR Flash 55ns | Micron

M58BW32FB5ZA3T ✓ सक्रिय
Micron Technology
M58BW16FB4ZA3F M58BW16FB4ZA3F - 16Mbit Burst NOR Flash 45ns | Micron

M58BW16FB4ZA3F - 16Mbit Burst NOR Flash 45ns | Micron

M58BW16FB4ZA3F ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M58BW32FB5ZA3T M58BW16FB4ZA3F
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR Memory IC NOR Flash, parallel burst
मेमोरी आकार 32 Mbit 16 Mbit (1M x16 / 512K x32)
संगठन x32 (Boot Block, Burst) 1M words x16, boot block
इंटरफ़ेस Parallel Parallel, synchronous burst
Access Time 55 ns 45 ns
सप्लाई वोल्टेज 3.3 V (single supply) 3.3 V nominal
Burst Mode Yes (synchronous burst read) —
Block Architecture Boot Block —
पैकेज 80-LBGA (10 x 12 mm) 80-LBGA (10 x 12 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C (automotive grade)
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: data retention]
Active Read Current [DATA_NEEDED: active current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (3F lead-free suffix)
Number of Terminals — 80
Application Grade — Automotive
Technology — Boot Block NOR Flash
Read Mode — Asynchronous and synchronous burst read
Lifecycle — Active / legacy parallel NOR

डेटाशीट और संसाधन

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