MBRS260T3G vs SRVBS260NT3G مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MBRS260T3G بواسطة onsemi و SRVBS260NT3G بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل MBRS260T3G SRVBS260NT3G
العلامة التجارية onsemi onsemi
الفئة Diodes Diodes
حالة دورة الحياة نشط نشط
Diode Type Schottky Power Rectifier (single) —
العلبة SMB (DO-214AA-style surface mount) SMB (surface mount, C-bend leads)
DC Reverse Voltage (Vr) Max 60 V —
Average Rectified Forward Current (Io) 2 A —
Forward Voltage (Vf) Max @ If 630 mV @ 2 A —
Peak Non-Repetitive Surge Current (Ifsm) 25 A (8.3 ms half-sine, per datasheet) —
Reverse Recovery Time (trr) Negligible (Schottky, minority-carrier device) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -65C to +150C —
Storage Temperature -65C to +150C —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Construction Epitaxial with oxide passivation and metal overlay contact —
Polarity Color band indicates cathode —
مستوى MSL 1 per JEDEC J-STD-020 —
حالة RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Primary Applications Low-voltage high-frequency switching PSUs, free-wheeling, polarity protection —
Manufacturer — onsemi
Product Type — Schottky Power Rectifier (single diode)
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +125 C
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر