MBRS260T3G vs SRVBS260NT3G השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MBRS260T3G מאת onsemi ו SRVBS260NT3G מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר MBRS260T3G SRVBS260NT3G
מותג onsemi onsemi
קטגוריה Diodes Diodes
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Diode Type Schottky Power Rectifier (single) —
מארז SMB (DO-214AA-style surface mount) SMB (surface mount, C-bend leads)
DC Reverse Voltage (Vr) Max 60 V —
Average Rectified Forward Current (Io) 2 A —
Forward Voltage (Vf) Max @ If 630 mV @ 2 A —
Peak Non-Repetitive Surge Current (Ifsm) 25 A (8.3 ms half-sine, per datasheet) —
Reverse Recovery Time (trr) Negligible (Schottky, minority-carrier device) —
טמפרטורת צומת פעולה -65C to +150C —
Storage Temperature -65C to +150C —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Construction Epitaxial with oxide passivation and metal overlay contact —
Polarity Color band indicates cathode —
רמת MSL 1 per JEDEC J-STD-020 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Primary Applications Low-voltage high-frequency switching PSUs, free-wheeling, polarity protection —
Manufacturer — onsemi
Product Type — Schottky Power Rectifier (single diode)
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +125 C
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר