MPX5010D vs MPX5010DP مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPX5010D بواسطة NXP Semiconductors و MPX5010DP بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MPX5010DP MPX5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor, 5V | NXP/ST

MPX5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor, 5V | NXP/ST

MPX5010DP ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MPX5010D MPX5010DP
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة Pressure Sensors Pressure Sensors
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer NXP Semiconductors —
Pressure Type Differential Differential
Operating Pressure 1.45 PSI (10 kPa) max —
نوع الخرج Analog Voltage Analog, ratiometric
نطاق جهد الخرج 0.2 V to 4.7 V 0.2 V to 4.7 V
جهد التغذية 4.75 V to 5.25 V 4.75 V to 5.25 V (5 V typical)
Port Size Dual axial port (Differential) —
Accuracy [DATA_NEEDED: %FS] —
درجة حرارة التشغيل 0C to +85C (industrial-grade derivative supported to 40C to +125C) 0 C to +85 C (compensated)
العلبة / الحالة 6-SIP Module (Case 867-08) —
نوع التركيب Through-hole module Through-hole (SIP)
Sensor Technology Piezoresistive MEMS —
Signal Conditioning On-chip, temperature compensated and calibrated —
تيار التغذية [DATA_NEEDED: mA] [DATA_NEEDED: supply current mA]
Response Time [DATA_NEEDED: ms] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: verified per datasheet] Compliant
Media Compatibility Dry non-corrosive gases (air-referenced diaphragm) —
Operating Pressure Range — 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overload Pressure — [DATA_NEEDED: max overload kPa]
Sensitivity — 450 mV/kPa (typical)
Linearity — ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C)
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature C]
Port Configuration — Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube
العلبة — 6-SIP Module
Technology — Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر