MPX5010D vs MPX5010DP موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MPX5010D بذریعہ NXP Semiconductors اور MPX5010DP بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
NXP Semiconductors
MPX5010D - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP Semiconductors
MPX5010D ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MPX5010D | MPX5010DP |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | NXP Semiconductors | — |
| Pressure Type | Differential | Differential |
| Operating Pressure | 1.45 PSI (10 kPa) max | — |
| آؤٹ پٹ کی قسم | Analog Voltage | Analog, ratiometric |
| آؤٹ پٹ وولٹیج کی حد | 0.2 V to 4.7 V | 0.2 V to 4.7 V |
| سپلائی وولٹیج | 4.75 V to 5.25 V | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Port Size | Dual axial port (Differential) | — |
| Accuracy | [DATA_NEEDED: %FS] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C (industrial-grade derivative supported to 40C to +125C) | 0 C to +85 C (compensated) |
| پیکیج / کیس | 6-SIP Module (Case 867-08) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through-hole module | Through-hole (SIP) |
| Sensor Technology | Piezoresistive MEMS | — |
| Signal Conditioning | On-chip, temperature compensated and calibrated | — |
| سپلائی کرنٹ | [DATA_NEEDED: mA] | [DATA_NEEDED: supply current mA] |
| Response Time | [DATA_NEEDED: ms] | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: verified per datasheet] | Compliant |
| Media Compatibility | Dry non-corrosive gases (air-referenced diaphragm) | — |
| Operating Pressure Range | — | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | — | [DATA_NEEDED: max overload kPa] |
| Sensitivity | — | 450 mV/kPa (typical) |
| Linearity | — | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature C] |
| Port Configuration | — | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube |
| پیکیج | — | 6-SIP Module |
| Technology | — | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned |