MPX5010D vs MPX5010DP השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MPX5010D מאת NXP Semiconductors ו MPX5010DP מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

NXP Semiconductors
MPX5010DP MPX5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor, 5V | NXP/ST

MPX5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor, 5V | NXP/ST

MPX5010DP ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר MPX5010D MPX5010DP
מותג NXP Semiconductors NXP Semiconductors
קטגוריה Pressure Sensors Pressure Sensors
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer NXP Semiconductors —
Pressure Type Differential Differential
Operating Pressure 1.45 PSI (10 kPa) max —
סוג פלט Analog Voltage Analog, ratiometric
טווח מתח פלט 0.2 V to 4.7 V 0.2 V to 4.7 V
מתח אספקה 4.75 V to 5.25 V 4.75 V to 5.25 V (5 V typical)
Port Size Dual axial port (Differential) —
Accuracy [DATA_NEEDED: %FS] —
טמפרטורת פעולה 0C to +85C (industrial-grade derivative supported to 40C to +125C) 0 C to +85 C (compensated)
מארז / Case 6-SIP Module (Case 867-08) —
סוג הרכבה Through-hole module Through-hole (SIP)
Sensor Technology Piezoresistive MEMS —
Signal Conditioning On-chip, temperature compensated and calibrated —
זרם אספקה [DATA_NEEDED: mA] [DATA_NEEDED: supply current mA]
Response Time [DATA_NEEDED: ms] —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: verified per datasheet] Compliant
Media Compatibility Dry non-corrosive gases (air-referenced diaphragm) —
Operating Pressure Range — 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overload Pressure — [DATA_NEEDED: max overload kPa]
Sensitivity — 450 mV/kPa (typical)
Linearity — ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C)
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature C]
Port Configuration — Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube
מארז — 6-SIP Module
Technology — Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר