MRF5S19060NBR1 vs MRF5S19060MBR1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF5S19060NBR1 بواسطة NXP Semiconductors و MRF5S19060MBR1 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRF5S19060NBR1 MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 ✓ نشط
NXP Semiconductors
MRF5S19060MBR1 MRF5S19060MBR1 - 12W RF Power LDMOS 1990MHz | NXP/Freescale

MRF5S19060MBR1 - 12W RF Power LDMOS 1990MHz | NXP/Freescale

MRF5S19060MBR1 Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل MRF5S19060NBR1 MRF5S19060MBR1
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs RF Amplifiers
حالة دورة الحياة نشط Obsolete
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) —
نوع الترانزستور N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS RF Power) LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Configuration Dual Die (2 x N), Common Source —
Frequency Band 1930 MHz to 1990 MHz 1.93 GHz to 1.99 GHz
Output Power (P1dB) 60 W (CW/peak) —
Output Power (Average) 12 W avg. 12 W
Drain Supply Voltage 28 V (typical) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 65 V (max) —
Power Gain 14 dB at 1.99 GHz 14 dB
Drain Current 750 mA (typical operating DC) —
العلبة TO-272 WB-4 (overmolded plastic) TO-270 WB-4 (overmolded plastic, also listed as TO-272 WB-4)
نوع التركيب Surface Mount (SMD) —
عدد الأطراف 5 —
Peak Reflow Temperature 260 C —
Maximum Power Dissipation (Absolute) 218.8 W —
Technology Silicon LDMOS RF Power Field Effect Transistor
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Typical Operating Frequency — 1990 MHz
Drain-Source Voltage (Rated) — 65 V
Nominal Drain Operating Voltage — 28 V
Test Current (Drain) — 750 mA
Drain Current Rating (Leakage Spec) — 10 uA
VSWR Tolerance — 5:1 @ 28 Vdc, 1990 MHz, 12 W avg
Input Matching — Internally matched
ESD Protection — Integrated
Package Outline — Case 1486-03, Style 1
نمط التركيب — Flange / surface mount with thermal pad
Maximum Junction Temperature — 200 degree C
Packaging — Tape and Reel, 500 units per 44 mm 13-inch reel (R1 suffix)
Target Application — PCN/PCS 1900 MHz, 2 x N-CDMA base station PA final/driver stage

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر