MRF5S19060NBR1 vs MRF5S19060MBR1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRF5S19060NBR1 द्वारा NXP Semiconductors और MRF5S19060MBR1 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MRF5S19060NBR1 MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
MRF5S19060MBR1 MRF5S19060MBR1 - 12W RF Power LDMOS 1990MHz | NXP/Freescale

MRF5S19060MBR1 - 12W RF Power LDMOS 1990MHz | NXP/Freescale

MRF5S19060MBR1 Obsolete

विशेषता तुलना

पैरामीटर MRF5S19060NBR1 MRF5S19060MBR1
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी MOSFETs RF Amplifiers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय Obsolete
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS RF Power) LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Configuration Dual Die (2 x N), Common Source —
Frequency Band 1930 MHz to 1990 MHz 1.93 GHz to 1.99 GHz
Output Power (P1dB) 60 W (CW/peak) —
Output Power (Average) 12 W avg. 12 W
Drain Supply Voltage 28 V (typical) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 65 V (max) —
Power Gain 14 dB at 1.99 GHz 14 dB
Drain Current 750 mA (typical operating DC) —
पैकेज TO-272 WB-4 (overmolded plastic) TO-270 WB-4 (overmolded plastic, also listed as TO-272 WB-4)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (SMD) —
पिन काउंट 5 —
Peak Reflow Temperature 260 C —
Maximum Power Dissipation (Absolute) 218.8 W —
Technology Silicon LDMOS RF Power Field Effect Transistor
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Typical Operating Frequency — 1990 MHz
Drain-Source Voltage (Rated) — 65 V
Nominal Drain Operating Voltage — 28 V
Test Current (Drain) — 750 mA
Drain Current Rating (Leakage Spec) — 10 uA
VSWR Tolerance — 5:1 @ 28 Vdc, 1990 MHz, 12 W avg
Input Matching — Internally matched
ESD Protection — Integrated
Package Outline — Case 1486-03, Style 1
माउंटिंग स्टाइल — Flange / surface mount with thermal pad
Maximum Junction Temperature — 200 degree C
Packaging — Tape and Reel, 500 units per 44 mm 13-inch reel (R1 suffix)
Target Application — PCN/PCS 1900 MHz, 2 x N-CDMA base station PA final/driver stage

डेटाशीट और संसाधन

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