MRF6S19140HR5 vs MRF6S19140HSR5 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF6S19140HR5 بواسطة NXP Semiconductors و MRF6S19140HSR5 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
NXP Semiconductors
MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP
MRF6S19140HSR5 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MRF6S19140HR5 | MRF6S19140HSR5 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | NXP Semiconductors |
| نوع الترانزستور | N-Channel RF Power LDMOS | RF Power LDMOS (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 68 V (max) | 68 V |
| Operating Drain Voltage (typical) | 28 V | 28 V |
| Pulsed Drain Current (Id) | 1.15 A | — |
| Output Power (Pout) | 29 W (CW or pulsed) | 29 W |
| Operating Frequency | 1.93 GHz to 1.99 GHz | — |
| Small-Signal Gain | 16 dB (typical) | — |
| العلبة / الحالة | NI-880H-2L ceramic flange | NI-880S |
| نوع التركيب | Chassis / flange mount (bolt-down) | Chassis Mount / Screw Clamp |
| Process Technology | HV6 LDMOS | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temp range] | — |
| Channel-to-Flange Thermal Resistance | 0.45 C/W (estimated, datasheet figure) | — |
| Original Manufacturer | — | Freescale Semiconductor |
| Part Status | — | Active |
| Drain Current (Id) | — | 1.15 A |
| Frequency Range | — | 1.93 GHz to 1.99 GHz |
| Power Gain (Gps) | — | 16 dB |
| Test Condition | — | Two-tone W-CDMA, 1.96 GHz |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40 C to +150 C (junction) |
| ESD Protection | — | Yes (integrated) |
| Technology | — | HV6 LDMOS (later branded NXP HV6) |