MRF6S19140HR5 vs MRF6S19140HSR5 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF6S19140HR5 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF6S19140HSR5 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRF6S19140HR5 MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF6S19140HSR5 MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRF6S19140HR5 MRF6S19140HSR5
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel RF Power LDMOS RF Power LDMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (Vdss) 68 V (max) 68 V
Operating Drain Voltage (typical) 28 V 28 V
Pulsed Drain Current (Id) 1.15 A —
Output Power (Pout) 29 W (CW or pulsed) 29 W
Operating Frequency 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Small-Signal Gain 16 dB (typical) —
پیکیج / کیس NI-880H-2L ceramic flange NI-880S
ماؤنٹنگ ٹائپ Chassis / flange mount (bolt-down) Chassis Mount / Screw Clamp
Process Technology HV6 LDMOS —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free status] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temp range] —
Channel-to-Flange Thermal Resistance 0.45 C/W (estimated, datasheet figure) —
Original Manufacturer — Freescale Semiconductor
Part Status — Active
Drain Current (Id) — 1.15 A
Frequency Range — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Power Gain (Gps) — 16 dB
Test Condition — Two-tone W-CDMA, 1.96 GHz
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +150 C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
Technology — HV6 LDMOS (later branded NXP HV6)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں