MRF6S19140HR5 vs MRF6S19140HSR5 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRF6S19140HR5 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRF6S19140HSR5 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

NXP Semiconductors
MRF6S19140HR5 MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 ✓ সক্রিয়
NXP Semiconductors
MRF6S19140HSR5 MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MRF6S19140HR5 MRF6S19140HSR5
ব্র্যান্ড NXP Semiconductors NXP Semiconductors
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel RF Power LDMOS RF Power LDMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (Vdss) 68 V (max) 68 V
Operating Drain Voltage (typical) 28 V 28 V
Pulsed Drain Current (Id) 1.15 A —
Output Power (Pout) 29 W (CW or pulsed) 29 W
Operating Frequency 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Small-Signal Gain 16 dB (typical) —
প্যাকেজ / কেস NI-880H-2L ceramic flange NI-880S
মাউন্টিং টাইপ Chassis / flange mount (bolt-down) Chassis Mount / Screw Clamp
Process Technology HV6 LDMOS —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free status] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: operating temp range] —
Channel-to-Flange Thermal Resistance 0.45 C/W (estimated, datasheet figure) —
Original Manufacturer — Freescale Semiconductor
Part Status — Active
Drain Current (Id) — 1.15 A
Frequency Range — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Power Gain (Gps) — 16 dB
Test Condition — Two-tone W-CDMA, 1.96 GHz
অপারেটিং তাপমাত্রা — -40 C to +150 C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
Technology — HV6 LDMOS (later branded NXP HV6)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট