MRF6S19140HR5 vs MRF6S19140HSR5 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MRF6S19140HR5 توسط NXP Semiconductors و MRF6S19140HSR5 توسط NXP Semiconductors. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

NXP Semiconductors
MRF6S19140HR5 MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF6S19140HSR5 MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MRF6S19140HR5 MRF6S19140HSR5
برند NXP Semiconductors NXP Semiconductors
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors
نوع ترانزیستور N-Channel RF Power LDMOS RF Power LDMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (Vdss) 68 V (max) 68 V
Operating Drain Voltage (typical) 28 V 28 V
Pulsed Drain Current (Id) 1.15 A —
Output Power (Pout) 29 W (CW or pulsed) 29 W
Operating Frequency 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Small-Signal Gain 16 dB (typical) —
بسته‌بندی / کیس NI-880H-2L ceramic flange NI-880S
نوع نصب Chassis / flange mount (bolt-down) Chassis Mount / Screw Clamp
Process Technology HV6 LDMOS —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free status] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temp range] —
Channel-to-Flange Thermal Resistance 0.45 C/W (estimated, datasheet figure) —
Original Manufacturer — Freescale Semiconductor
Part Status — Active
Drain Current (Id) — 1.15 A
Frequency Range — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Power Gain (Gps) — 16 dB
Test Condition — Two-tone W-CDMA, 1.96 GHz
دمای کاری — -40 C to +150 C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
Technology — HV6 LDMOS (later branded NXP HV6)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت