MT25QL02GCBB8E12-0AUT vs W25H02JVTBIM مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT25QL02GCBB8E12-0AUT بواسطة Micron Technology و W25H02JVTBIM بواسطة Winbond. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT25QL02GCBB8E12-0AUT W25H02JVTBIM
العلامة التجارية Micron Technology Winbond
الفئة Flash Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Serial (SPI) Serial NOR Flash
Memory Capacity 2 Gbit (256 MB) —
التنظيم 256M x 8 —
الواجهة SPI, Dual SPI, Quad I/O SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR
أقصى تردد للساعة 133 MHz —
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V —
Programming Voltage 3 V —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +85C
العلبة 24-T-PBGA (6x8 mm) 24-ball TFBGA (8x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Endurance 100000 write/erase cycles —
Qualification AEC-Q100 (automotive) —
الميزات XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access —
حالة RoHS Compliant Compliant
Marking Code RW340 —
Supply Voltage Class 3 V (MT25QL series) —
Access Protocol Support Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI —
Density — 2 Gbit (256M x 8)
Maximum Clock Rate — 133 MHz
Equivalent Throughput (Quad DTR) — 416 MHz (50 MB/s)
Access Time — 7.5 ns
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Sector Size — 4 KB uniform
Block Size — 32 KB and 64 KB
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per sector
Data Retention — 20 years
خالٍ من الهالوجين — Yes
JEDEC Manufacturer ID — 0xEF (Winbond)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر