MT25QL02GCBB8E12-0AUT vs W25H02JVTBIM तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT25QL02GCBB8E12-0AUT द्वारा Micron Technology और W25H02JVTBIM द्वारा Winbond. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ सक्रिय
Winbond
W25H02JVTBIM W25H02JVTBIM - 2Gb QSPI NOR Flash, 24-TFBGA | Winbond

W25H02JVTBIM - 2Gb QSPI NOR Flash, 24-TFBGA | Winbond

W25H02JVTBIM ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT25QL02GCBB8E12-0AUT W25H02JVTBIM
ब्रांड Micron Technology Winbond
श्रेणी Flash Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash, Serial (SPI) Serial NOR Flash
Memory Capacity 2 Gbit (256 MB) —
संगठन 256M x 8 —
इंटरफ़ेस SPI, Dual SPI, Quad I/O SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 133 MHz —
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V —
Programming Voltage 3 V —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +85C
पैकेज 24-T-PBGA (6x8 mm) 24-ball TFBGA (8x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Endurance 100000 write/erase cycles —
Qualification AEC-Q100 (automotive) —
विशेषताएँ XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Marking Code RW340 —
Supply Voltage Class 3 V (MT25QL series) —
Access Protocol Support Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI —
Density — 2 Gbit (256M x 8)
Maximum Clock Rate — 133 MHz
Equivalent Throughput (Quad DTR) — 416 MHz (50 MB/s)
Access Time — 7.5 ns
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Sector Size — 4 KB uniform
Block Size — 32 KB and 64 KB
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per sector
Data Retention — 20 years
हैलोजन फ्री — Yes
JEDEC Manufacturer ID — 0xEF (Winbond)

डेटाशीट और संसाधन

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