MT25QL02GCBB8E12-0AUT vs W25H02JVTBIM Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT25QL02GCBB8E12-0AUT disebabkan oleh Micron Technology dan W25H02JVTBIM disebabkan oleh Winbond. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr MT25QL02GCBB8E12-0AUT W25H02JVTBIM
Merek Micron Technology Winbond
Kategori Flash Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan NOR Flash, Serial (SPI) Serial NOR Flash
Memory Capacity 2 Gbit (256 MB) —
Organisasi 256M x 8 —
Antaramuka SPI, Dual SPI, Quad I/O SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR
Frekuensi Klock Maksimum 133 MHz —
Tegangan Pemberi Arus 2.7 V to 3.6 V —
Programming Voltage 3 V —
Suhu Operasi -40C to +125C -40C to +85C
Kemasan 24-T-PBGA (6x8 mm) 24-ball TFBGA (8x6 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Endurance 100000 write/erase cycles —
Qualification AEC-Q100 (automotive) —
Ciri-ciri XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access —
Status RoHS Compliant Compliant
Marking Code RW340 —
Supply Voltage Class 3 V (MT25QL series) —
Access Protocol Support Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI —
Density — 2 Gbit (256M x 8)
Maximum Clock Rate — 133 MHz
Equivalent Throughput (Quad DTR) — 416 MHz (50 MB/s)
Access Time — 7.5 ns
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Sector Size — 4 KB uniform
Block Size — 32 KB and 64 KB
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per sector
Data Retention — 20 years
Boson Bebas — Yes
JEDEC Manufacturer ID — 0xEF (Winbond)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga