MT25QL02GCBB8E12-0AUT vs W25H02JVTBIM Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT25QL02GCBB8E12-0AUT tarafından Micron Technology ve W25H02JVTBIM tarafından WinbondAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre MT25QL02GCBB8E12-0AUT W25H02JVTBIM
Marka Micron Technology Winbond
Kategori Flash Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash, Serial (SPI) Serial NOR Flash
Memory Capacity 2 Gbit (256 MB) —
Organizasyon 256M x 8 —
Arayüz SPI, Dual SPI, Quad I/O SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR
Azami Saat Hızı 133 MHz —
Besleme Gerilimi 2.7 V to 3.6 V —
Programming Voltage 3 V —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +85C
Paket 24-T-PBGA (6x8 mm) 24-ball TFBGA (8x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Endurance 100000 write/erase cycles —
Qualification AEC-Q100 (automotive) —
Özellikler XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Marking Code RW340 —
Supply Voltage Class 3 V (MT25QL series) —
Access Protocol Support Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI —
Density — 2 Gbit (256M x 8)
Maximum Clock Rate — 133 MHz
Equivalent Throughput (Quad DTR) — 416 MHz (50 MB/s)
Access Time — 7.5 ns
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Sector Size — 4 KB uniform
Block Size — 32 KB and 64 KB
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per sector
Data Retention — 20 years
Klorürsüz — Yes
JEDEC Manufacturer ID — 0xEF (Winbond)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin