N25Q016A11EV7A0 vs N25Q032A13EV741 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ N25Q016A11EV7A0 بواسطة Micron Technology و N25Q032A13EV741 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
N25Q016A11EV7A0 N25Q016A11EV7A0 - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q016A11EV7A0 - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q016A11EV7A0 ✓ نشط
Micron Technology
N25Q032A13EV741 N25Q032A13EV741 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV741 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV741 Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل N25Q016A11EV7A0 N25Q032A13EV741
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط Obsolete
نوع الذاكرة FLASH - NOR Memory IC Non-Volatile, FLASH - NOR
حجم الذاكرة 16 Mbit (2 MB) 32Mbit (8M x 4)
الواجهة SPI —
أقصى تردد للساعة 108 MHz 108 MHz
جهد التغذية 1.8 V (V11 grade) 2.7 V to 3.6 V
العلبة 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) 8-lead VDFPN (EV)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Protocol Support Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI —
Programming Page program, sector/block erase —
Family N25Q —
Speed Grade 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Erase/Program Cycles [DATA_NEEDED: Endurance] —
Data Retention [DATA_NEEDED: Data Retention] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: Package Dimensions] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Memory Format — FLASH
Memory Interface — SPI
Write Cycle Time - Word — 8 ms
Write Cycle Time - Page — 5 ms
Technology — FLASH - NOR (SLC)
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Bulk
Part Status — Obsolete
Application Segment — Telecom

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر