N25Q016A11EV7A0 vs N25Q032A13EV741 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना N25Q016A11EV7A0 द्वारा Micron Technology और N25Q032A13EV741 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
N25Q016A11EV7A0 N25Q016A11EV7A0 - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q016A11EV7A0 - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q016A11EV7A0 ✓ सक्रिय
Micron Technology
N25Q032A13EV741 N25Q032A13EV741 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV741 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV741 Obsolete

विशेषता तुलना

पैरामीटर N25Q016A11EV7A0 N25Q032A13EV741
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय Obsolete
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR Memory IC Non-Volatile, FLASH - NOR
मेमोरी आकार 16 Mbit (2 MB) 32Mbit (8M x 4)
इंटरफ़ेस SPI —
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 108 MHz 108 MHz
सप्लाई वोल्टेज 1.8 V (V11 grade) 2.7 V to 3.6 V
पैकेज 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) 8-lead VDFPN (EV)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Protocol Support Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI —
Programming Page program, sector/block erase —
Family N25Q —
Speed Grade 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Erase/Program Cycles [DATA_NEEDED: Endurance] —
Data Retention [DATA_NEEDED: Data Retention] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: Package Dimensions] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Memory Format — FLASH
Memory Interface — SPI
Write Cycle Time - Word — 8 ms
Write Cycle Time - Page — 5 ms
Technology — FLASH - NOR (SLC)
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Bulk
Part Status — Obsolete
Application Segment — Telecom

डेटाशीट और संसाधन

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