NT5CC256M16CP-DIB1 vs NT5CB256M16CP-DII مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CC256M16CP-DIB1 بواسطة Nanya Technology و NT5CB256M16CP-DII بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 ✓ نشط
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CB256M16CP-DII
العلامة التجارية Nanya Technology Nanya Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $5.57
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
التنظيم 256M x 16 256M x 16
جهد التغذية 1.35V —
معدل البيانات 1600Mbps (DDR3L-1600) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
العلبة TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 11 —
Write Latency (CWL) 8 —
tRCD/tRP 11 —
Burst Length 8 (BL8) and 4 (BC4) 8, 4 (with burst chop)
درجة حرارة التشغيل 0C to +95C (Tcase) —
RoHS Compliant Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes —
Lead Free Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
زمن الوصول CAS — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
الواجهة — SSTL-15
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +95C (industrial)
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر