NT5CC256M16CP-DIB1 vs NT5CB256M16CP-DII 比較

詳細並排比較 NT5CC256M16CP-DIB1 由 Nanya Technology 與 NT5CB256M16CP-DII 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 ✓ 啟用中
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NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ 啟用中

規格比較

參數 NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CB256M16CP-DII
品牌 Nanya Technology Nanya Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) — $5.57
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
組織 256M x 16 256M x 16
供應電壓 1.35V —
資料速率 1600Mbps (DDR3L-1600) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
封裝 TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 11 —
Write Latency (CWL) 8 —
tRCD/tRP 11 —
Burst Length 8 (BL8) and 4 (BC4) 8, 4 (with burst chop)
工作溫度 0C to +95C (Tcase) —
RoHS Compliant Compliant
無鹵素 Yes —
Lead Free Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
CAS 延遲 — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
介面 — SSTL-15
工作溫度範圍 — -40C to +95C (industrial)
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

資料表與資源

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