NT5CC256M16CP-DIB1 vs NT5CB256M16CP-DII तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16CP-DIB1 द्वारा Nanya Technology और NT5CB256M16CP-DII द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

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Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CB256M16CP-DII
ब्रांड Nanya Technology Nanya Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $5.57
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
संगठन 256M x 16 256M x 16
सप्लाई वोल्टेज 1.35V —
डेटा दर 1600Mbps (DDR3L-1600) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
पैकेज TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 11 —
Write Latency (CWL) 8 —
tRCD/tRP 11 —
Burst Length 8 (BL8) and 4 (BC4) 8, 4 (with burst chop)
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +95C (Tcase) —
RoHS Compliant Compliant
हैलोजन फ्री Yes —
Lead Free Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
CAS लेटेंसी — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
इंटरफ़ेस — SSTL-15
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40C to +95C (industrial)
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

डेटाशीट और संसाधन

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