STI38N65M5 vs IPW65R041CFD مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ STI38N65M5 بواسطة STMicroelectronics و IPW65R041CFD بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل STI38N65M5 IPW65R041CFD
العلامة التجارية STMicroelectronics Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 152 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.099 ohm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 110 nC —
Input Capacitance (Ciss) 4200 pF —
Output Capacitance (Coss) 180 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 12 pF —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C —
العلبة TO-247 PG-TO247-3 (TO-247, through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
حالة RoHS Compliant Compliant (GREEN package per digchip specification listing)
خالٍ من الهالوجين Yes —
Operating Mode — Enhancement
Technology — CoolMOS CFD2 (superjunction, fast body diode)
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 650 V
On-Resistance RDS(on) — 41 mOhm
Continuous Drain Current ID — 68.5 A (Tc)
Power Dissipation PD — 500 W (Tc)
Total Gate Charge Qg — 300 nC
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS rating]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Thermal Resistance RthJC — [DATA_NEEDED: RthJC]
Body Diode — Integrated fast body diode
Package Color / Material — Green plastic (halogen-aware molding per digchip listing)
Application Segment — Industrial

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر