STI38N65M5 vs IPW65R041CFD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از STI38N65M5 بذریعہ STMicroelectronics اور IPW65R041CFD بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

STMicroelectronics
STI38N65M5 STI38N65M5 - 650V 38A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STI38N65M5 - 650V 38A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STI38N65M5 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر STI38N65M5 IPW65R041CFD
برانڈ STMicroelectronics Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 152 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.099 ohm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 110 nC —
Input Capacitance (Ciss) 4200 pF —
Output Capacitance (Coss) 180 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 12 pF —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C —
پیکیج TO-247 PG-TO247-3 (TO-247, through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (GREEN package per digchip specification listing)
ہیلوجن فری Yes —
Operating Mode — Enhancement
Technology — CoolMOS CFD2 (superjunction, fast body diode)
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 650 V
On-Resistance RDS(on) — 41 mOhm
Continuous Drain Current ID — 68.5 A (Tc)
Power Dissipation PD — 500 W (Tc)
Total Gate Charge Qg — 300 nC
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS rating]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Thermal Resistance RthJC — [DATA_NEEDED: RthJC]
Body Diode — Integrated fast body diode
Package Color / Material — Green plastic (halogen-aware molding per digchip listing)
Application Segment — Industrial

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں