STI38N65M5 vs IPW65R041CFD Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma STI38N65M5 tarafından STMicroelectronics ve IPW65R041CFD tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre STI38N65M5 IPW65R041CFD
Marka STMicroelectronics Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 152 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.099 ohm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 110 nC —
Input Capacitance (Ciss) 4200 pF —
Output Capacitance (Coss) 180 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 12 pF —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C —
Paket TO-247 PG-TO247-3 (TO-247, through-hole)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
RoHS Durumu Compliant Compliant (GREEN package per digchip specification listing)
Klorürsüz Yes —
Operating Mode — Enhancement
Technology — CoolMOS CFD2 (superjunction, fast body diode)
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 650 V
On-Resistance RDS(on) — 41 mOhm
Continuous Drain Current ID — 68.5 A (Tc)
Power Dissipation PD — 500 W (Tc)
Total Gate Charge Qg — 300 nC
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS rating]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Thermal Resistance RthJC — [DATA_NEEDED: RthJC]
Body Diode — Integrated fast body diode
Package Color / Material — Green plastic (halogen-aware molding per digchip listing)
Application Segment — Industrial

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin