W25H02JVTBIM vs MT25QL02GCBB8E12-0AUT مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ W25H02JVTBIM بواسطة Winbond و MT25QL02GCBB8E12-0AUT بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | W25H02JVTBIM | MT25QL02GCBB8E12-0AUT |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Winbond | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Flash |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Density | 2 Gbit (256M x 8) | — |
| نوع الذاكرة | Serial NOR Flash | NOR Flash, Serial (SPI) |
| الواجهة | SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR | SPI, Dual SPI, Quad I/O |
| Maximum Clock Rate | 133 MHz | — |
| Equivalent Throughput (Quad DTR) | 416 MHz (50 MB/s) | — |
| Access Time | 7.5 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Sector Size | 4 KB uniform | — |
| Block Size | 32 KB and 64 KB | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per sector | — |
| Data Retention | 20 years | — |
| العلبة | 24-ball TFBGA (8x6 mm) | 24-T-PBGA (6x8 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +85C | -40C to +125C |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| JEDEC Manufacturer ID | 0xEF (Winbond) | — |
| Memory Capacity | — | 2 Gbit (256 MB) |
| التنظيم | — | 256M x 8 |
| أقصى تردد للساعة | — | 133 MHz |
| جهد التغذية | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Voltage | — | 3 V |
| Endurance | — | 100000 write/erase cycles |
| Qualification | — | AEC-Q100 (automotive) |
| الميزات | — | XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access |
| Marking Code | — | RW340 |
| Supply Voltage Class | — | 3 V (MT25QL series) |
| Access Protocol Support | — | Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI |