W25H02JVTBIM vs MT25QL02GCBB8E12-0AUT तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना W25H02JVTBIM द्वारा Winbond और MT25QL02GCBB8E12-0AUT द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Winbond
W25H02JVTBIM W25H02JVTBIM - 2Gb QSPI NOR Flash, 24-TFBGA | Winbond

W25H02JVTBIM - 2Gb QSPI NOR Flash, 24-TFBGA | Winbond

W25H02JVTBIM ✓ सक्रिय
Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर W25H02JVTBIM MT25QL02GCBB8E12-0AUT
ब्रांड Winbond Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Flash
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Density 2 Gbit (256M x 8) —
मेमोरी प्रकार Serial NOR Flash NOR Flash, Serial (SPI)
इंटरफ़ेस SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR SPI, Dual SPI, Quad I/O
Maximum Clock Rate 133 MHz —
Equivalent Throughput (Quad DTR) 416 MHz (50 MB/s) —
Access Time 7.5 ns —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Sector Size 4 KB uniform —
Block Size 32 KB and 64 KB —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per sector —
Data Retention 20 years —
पैकेज 24-ball TFBGA (8x6 mm) 24-T-PBGA (6x8 mm)
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +85C -40C to +125C
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
हैलोजन फ्री Yes —
JEDEC Manufacturer ID 0xEF (Winbond) —
Memory Capacity — 2 Gbit (256 MB)
संगठन — 256M x 8
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी — 133 MHz
सप्लाई वोल्टेज — 2.7 V to 3.6 V
Programming Voltage — 3 V
Endurance — 100000 write/erase cycles
Qualification — AEC-Q100 (automotive)
विशेषताएँ — XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access
Marking Code — RW340
Supply Voltage Class — 3 V (MT25QL series)
Access Protocol Support — Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI

डेटाशीट और संसाधन

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