W25H02JVTBIM vs MT25QL02GCBB8E12-0AUT השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של W25H02JVTBIM מאת Winbond ו MT25QL02GCBB8E12-0AUT מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Winbond
W25H02JVTBIM W25H02JVTBIM - 2Gb QSPI NOR Flash, 24-TFBGA | Winbond

W25H02JVTBIM - 2Gb QSPI NOR Flash, 24-TFBGA | Winbond

W25H02JVTBIM ✓ פעיל
Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר W25H02JVTBIM MT25QL02GCBB8E12-0AUT
מותג Winbond Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Flash
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Density 2 Gbit (256M x 8) —
סוג זיכרון Serial NOR Flash NOR Flash, Serial (SPI)
ממשק SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR SPI, Dual SPI, Quad I/O
Maximum Clock Rate 133 MHz —
Equivalent Throughput (Quad DTR) 416 MHz (50 MB/s) —
Access Time 7.5 ns —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Sector Size 4 KB uniform —
Block Size 32 KB and 64 KB —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per sector —
Data Retention 20 years —
מארז 24-ball TFBGA (8x6 mm) 24-T-PBGA (6x8 mm)
טמפרטורת פעולה -40C to +85C -40C to +125C
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
נטול הלוגנים Yes —
JEDEC Manufacturer ID 0xEF (Winbond) —
Memory Capacity — 2 Gbit (256 MB)
ארגון — 256M x 8
תדר שעון מקסימלי — 133 MHz
מתח אספקה — 2.7 V to 3.6 V
Programming Voltage — 3 V
Endurance — 100000 write/erase cycles
Qualification — AEC-Q100 (automotive)
תכונות — XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access
Marking Code — RW340
Supply Voltage Class — 3 V (MT25QL series)
Access Protocol Support — Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר