W25H02JVTBIM vs MT25QL02GCBB8E12-0AUT তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা W25H02JVTBIM নির্দিষ্ট Winbond ও MT25QL02GCBB8E12-0AUT নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Winbond
W25H02JVTBIM W25H02JVTBIM - 2Gb QSPI NOR Flash, 24-TFBGA | Winbond

W25H02JVTBIM - 2Gb QSPI NOR Flash, 24-TFBGA | Winbond

W25H02JVTBIM ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার W25H02JVTBIM MT25QL02GCBB8E12-0AUT
ব্র্যান্ড Winbond Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Flash
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Density 2 Gbit (256M x 8) —
মেমরি টাইপ Serial NOR Flash NOR Flash, Serial (SPI)
ইন্টারফেস SPI / Dual SPI / Quad SPI / QPI / DTR SPI, Dual SPI, Quad I/O
Maximum Clock Rate 133 MHz —
Equivalent Throughput (Quad DTR) 416 MHz (50 MB/s) —
Access Time 7.5 ns —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Sector Size 4 KB uniform —
Block Size 32 KB and 64 KB —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per sector —
Data Retention 20 years —
প্যাকেজ 24-ball TFBGA (8x6 mm) 24-T-PBGA (6x8 mm)
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +85C -40C to +125C
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
JEDEC Manufacturer ID 0xEF (Winbond) —
Memory Capacity — 2 Gbit (256 MB)
সংগঠন — 256M x 8
সর্বোচ্চ ক্লক ফ্রিকোয়েন্সি — 133 MHz
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 2.7 V to 3.6 V
Programming Voltage — 3 V
Endurance — 100000 write/erase cycles
Qualification — AEC-Q100 (automotive)
বৈশিষ্ট্য — XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access
Marking Code — RW340
Supply Voltage Class — 3 V (MT25QL series)
Access Protocol Support — Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট