BSC076N04NDATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC076N04NDATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC074N15NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC076N04NDATMA1 | BSC074N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS™ 5 trench |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | — |
| প্যাকেজ / কেস | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 114 A |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 214 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| প্যাকেজ | — | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | [DATA_NEEDED: TJ min/max] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Body Diode | — | Integrated |