BSC076N04NDATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC076N04NDATMA1 bằng Infineon và BSC074N15NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC076N04NDATMA1 | BSC074N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS™ 5 trench |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| Hộp / Vỏ | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 114 A |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 214 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Hộp | — | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: TJ min/max] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Body Diode | — | Integrated |