BSC076N04NDATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC076N04NDATMA1 tarafından Infineon ve BSC074N15NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC076N04NDATMA1 | BSC074N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS™ 5 trench |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket / Kas | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 114 A |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 214 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Paket | — | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | [DATA_NEEDED: TJ min/max] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Body Diode | — | Integrated |