BSD235CH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSD235CH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS127H6327XTSA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSD235CH6327XTSA1 | BSS127H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | 500 mW (Ta) |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (lead-free) | Compliant (lead-free) |
| MSL লেভেল | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| পিন সংখ্যা | 6 | 3 |
| FET Type | — | N-Channel SIPMOS, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 21 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.5 V (logic level, rated) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 500 ohm at ID = 21 mA |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 C to +150 C |
| প্যাকেজ | — | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |