BSD235CH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSD235CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS127H6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSD235CH6327XTSA1 | BSS127H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | 500 mW (Ta) |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (lead-free) | Compliant (lead-free) |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| پن کی تعداد | 6 | 3 |
| FET Type | — | N-Channel SIPMOS, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 21 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.5 V (logic level, rated) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 500 ohm at ID = 21 mA |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +150 C |
| پیکیج | — | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| ہیلوجن فری | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |