BSP135H6327XTSA1 vs BSO613SPVGXUMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSP135H6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSO613SPVGXUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSP135H6327XTSA1 | BSO613SPVGXUMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP135H6327XTSA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 45 ohm at VGS = 0 V | — |
| On-Resistance RDS(on) | 25 ohm (typical, per digchip) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Operating Mode | Normally ON (depletion) | — |
| প্যাকেজ | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) | PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | SIPMOS (planar DMOS) | OptiMOS (Trench) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (junction, typical) | -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -3.44 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| RDS(on) at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| RDS(on) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes (per Infineon OptiMOS family) |
| পিন সংখ্যা | — | 8 (6 active, 2 thermal/NC) |