BSP135H6327XTSA1 vs BSO613SPVGXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP135H6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSO613SPVGXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSP135H6327XTSA1 | BSO613SPVGXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP135H6327XTSA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 45 ohm at VGS = 0 V | — |
| On-Resistance RDS(on) | 25 ohm (typical, per digchip) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Operating Mode | Normally ON (depletion) | — |
| पैकेज | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) | PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | SIPMOS (planar DMOS) | OptiMOS (Trench) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction, typical) | -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -3.44 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| RDS(on) at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| RDS(on) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes (per Infineon OptiMOS family) |
| पिन काउंट | — | 8 (6 active, 2 thermal/NC) |