BSP135H6327XTSA1 vs BSO613SPVGXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP135H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSO613SPVGXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP135H6327XTSA1 BSO613SPVGXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) OptiMOS (Trench)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)
Pin Sayısı — 8 (6 active, 2 thermal/NC)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin