BSP135H6327XTSA1 vs BSO613SPVGXUMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSP135H6327XTSA1 מאת Infineon ו BSO613SPVGXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSP135H6327XTSA1 | BSO613SPVGXUMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP135H6327XTSA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 45 ohm at VGS = 0 V | — |
| On-Resistance RDS(on) | 25 ohm (typical, per digchip) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Operating Mode | Normally ON (depletion) | — |
| מארז | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) | PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | SIPMOS (planar DMOS) | OptiMOS (Trench) |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction, typical) | -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 | MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -3.44 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| RDS(on) at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| RDS(on) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes (per Infineon OptiMOS family) |
| מספר פינים | — | 8 (6 active, 2 thermal/NC) |