BSP135H6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSP135H6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSP92PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 - P-Channel 250V 260mA MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP92PH6327XTSA1 - P-Channel 250V 260mA MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP92PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSP135H6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -250 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W 1.8 W (Ta)
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) —
প্যাকেজ PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction, typical) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
MSL লেভেল 1 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
ট্রানজিস্টর টাইপ — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Channel Polarity — P-Channel
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
পিন সংখ্যা — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট