BSP135H6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP135H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP92PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP135H6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -250 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W 1.8 W (Ta)
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction, typical) —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Transistor Türü — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Channel Polarity — P-Channel
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Pin Sayısı — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin