BSP135H6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP135H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP92PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP135H6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -250 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W 1.8 W (Ta)
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction, typical) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول 1 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Channel Polarity — P-Channel
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
پن کی تعداد — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں