BSS123IXTSA1 vs IRLML2060TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS123IXTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRLML2060TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 - 100V N-Ch 190mA OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS123IXTSA1 - 100V N-Ch 190mA OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS123IXTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSS123IXTSA1 IRLML2060TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS Small-Signal IR HEXFET (Trench Gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA 1.2 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW 1.25 W
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 1.8 V typical
প্যাকেজ PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (Micro3, 3-pin)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel —
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 4.8 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 12 V
RDS(on) max at VGS=10V — 480 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V — 650 mOhm (typical 580 mOhm)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) — 100 C/W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +150C
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট