BSS123IXTSA1 vs IRLML2060TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS123IXTSA1 bằng Infineon và IRLML2060TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 - 100V N-Ch 190mA OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS123IXTSA1 - 100V N-Ch 190mA OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS123IXTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS123IXTSA1 IRLML2060TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS Small-Signal IR HEXFET (Trench Gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA 1.2 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW 1.25 W
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 1.8 V typical
Hộp PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (Micro3, 3-pin)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel —
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 4.8 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 12 V
RDS(on) max at VGS=10V — 480 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V — 650 mOhm (typical 580 mOhm)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) — 100 C/W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +150C
Trạng thái RoHS — Compliant
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá