BSS123IXTSA1 vs IRLML2060TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSS123IXTSA1 disebabkan oleh Infineon dan IRLML2060TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSS123IXTSA1 IRLML2060TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS Small-Signal IR HEXFET (Trench Gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA 1.2 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW 1.25 W
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 1.8 V typical
Kemasan PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (Micro3, 3-pin)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gambaran Suhu Operasi -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel —
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
Aras MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 4.8 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 12 V
RDS(on) max at VGS=10V — 480 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V — 650 mOhm (typical 580 mOhm)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) — 100 C/W
Suhu Hubungan Operasi — -55C to +150C
Status RoHS — Compliant
Boson Bebas — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga